Главная » Публикации » Сравнительный анализ силовых приборов, изготовленных на основе кремния (Si), карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN)

Сравнительный анализ силовых приборов, изготовленных на основе кремния (Si), карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN)

Шмаков А., Аргасцев А., Жданеев О.

Силовая электроника № 2, С. 4-7,2025
Сохранить
Возврат к списку
Используя сайт cktr-tek.ru, Вы соглашаетесь с использованием файлов cookie