IGBT модуль

Программно-аппаратный комплекс, силовая электроника

Транзистор — IGBT модуль MIDA-HB17FA-450N произведён и испытан на соответствие заявленным техническим характеристикам, с применением методик термоэлектроциклирования и исследования  на устойчивость к внешним механическим воздействиям.

Импортозамещение элементов силовой электроники для систем управления большинства технологий энергоперехода – 20 тыс. ед,, 800 млн руб. в год

Решение позволит нарастить долю ВИЭ в общем объеме выработки электроэнергии с 1,1% до 2.8% к 2035 году.

*IGBT – биполярный транзистор с изолированным затвором

IGBT модуль
Возврат к списку